PQFN транзисторы 25 и 30В для POL преобразователей

Компания International Rectifier начала выпуск нового семейства HEXFET® MOSFET транзисторов в корпусах PQFN 3х3 мм, нормированных на 25 и 30 В.

Приборы предназначены для эффективного преобразования энергии в DC-DC преобразователях, телекоммуникационнои и сетевом оборудовании, настольных компьютерах и ноутбуках.

Благодаря улучшенной технологии производства новые PQFN транзисторы имеют до 60% увеличенную нагрузку по току по сравнению с корпусами PQFN предыдущего поколения. При этом разработчикам удалось значительно уменьшить сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)). Также, новый корпус отличается хорошей теплопроводимостью и надежностью, благодаря чему сертифицирован по промышленным стандартам и уровню чувствительности к влаге MSL1. Новая технология PQFN корпусов доступна также для размеров 5х6 мм, что позволит разработчиков повысить нагрузку по току без изменения разводки платы.

В новое семейство входят приборы, оптимизированные для использования в качестве MOSFET транзисторов управления с низким сопротивлением затвора для уменьшения потерь на переключение. Для применения в качестве синхронизирующих транзисторов выпускаются приборы в корпусах FETKY (монолитные FET транзисторы и приборы с интегрированными диодами Шоттки) с расширенной эффективностью и улучшенными параметрами ЭМС для уменьшения времени обратного восстановления. Новое семейство PQFN транзисторов предлагает высокую плотность мощности, надежное и гибкое решение, максимально оптимизированное для DC-DC преобразователей. Кроме того, разработчики смогут теперь выбирать приборы среди различных комбинаций корпусов для получения оптимального результата в своих индивидуальных решениях. Корпуса с высотой менее 1 мм совместимы со всеми существующими технологиями SMT монтажа.

Спецификация