Новое поколение IGBT 1200 В Gen8

Компания International Rectifier анонсировала новую технологию производства IGBT транзисторов, по которой будут производиться транзисторы 8-го поколения (Gen8) на напряжение 1200 В. Она использует новейшую IR технологию trench field stop, которая позволяет достигнуть лучшей производительности в промышленных и энергосберегающих приложениях.

Приборы Gen8 имеют лучшие показатели напряжения насыщения Vce(on) для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности мощности. Транзисторы Gen8 отличаются более мягкими характеристиками выключения, которые необходимы для электроприводов, минимальным коэффициентом dv/dt для уменьшения ЭМП и защитой от перенапряжения, что обеспечивает надежность привода и его стойкость к тяжелых рабочим условиям. Малое распределение параметров позволяет достичь отличного перераспределения тока при параллельном подключении нескольких IGBT транзисторов в высокоточных силовых модулях. Также, тонкопленочная технология изготовления кристаллов уменьшает термосопротивление и повышает температуру перехода до 175°С.

Технические характеристики