Документация на продукцию International Rectifier (datasheet)
| Наименование | Описание | Документация | | IRF5803D2PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -40В, -3.4A, 112 мОм, 25 нКл заряд затвора, SO-8 |  | | IRF5803D2TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -40В, -3.4A, 112 мОм, 25 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7321D2PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -4.9A, 62 мОм, 23 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7321D2TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -4.9A, 62 мОм, 23 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7322D1PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -5.3A, 62 мОм, 19 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7322D1TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -5.3A, 62 мОм, 19 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7324D1PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -2.2A, 270 мОм, 5.2 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7324D1TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -2.2A, 270 мОм, 5.2 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7326D2PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -3.6A, 100 мОм, 16.7 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7326D2TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -3.6A, 100 мОм, 16.7 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7342D2PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -55V, -3.4A, 105 мОм, 26 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7353D1PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 32 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7353D1TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 32 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7353D2PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 29 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7353D2TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 6.5A, 29 мОм, 22 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7421D1PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 5.8A, 35 мОм, 18 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7421D1TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 5.8A, 35 мОм, 18 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7422D2PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -4.3A, 90 мОм, 15 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7422D2TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -4.3A, 90 мОм, 15 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7521D1PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 20В, 2.4A, 135 мОм, 5.3 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7521D1TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 20В, 2.4A, 135 мОм, 5.3 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7524D1GTRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -1.7A, 270 мОм, 5.4 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7524D1PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -1.7A, 270 мОм, 5.4 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7524D1TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -20В, -1.7A, 270 мОм, 5.4 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7526D1PBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -2A, 200 мОм, 7.5 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7526D1TRPBF | MOSFET, P-канал с диодом Шоттки, -30В, -2A, 200 мОм, 7.5 нКл заряд затвора, Micro 8 | | | IRF7807D1PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7807D1TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7807D2PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7807D2TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 14 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7807VD1PBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 9.5 нКл заряд затвора, SO-8 | | | IRF7807VD1TRPBF | MOSFET с диодом Шоттки, 30В, 8.3A, 25 мОм, 9.5 нКл заряд затвора, SO-8 | |
|
