| Наименование | Описание | Документация |
| IRF6603 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MT. рекомендуемая замена - IRF6612 |  |
| IRF6603TR1 | 30В28.000ADIRECTFET | - |
| IRF6604 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST. рекомендуемая замена - IRF6621 | |
| IRF6604TR1 | 30В15.000ADIRECTFET | - |
| IRF6607 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MT. рекомендуемая замена - IRF6612 | |
| IRF6607TR1 | 30В28.000ADIRECTFET | - |
| IRF6608 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST. рекомендуемая замена - IRF6621 | |
| IRF6608TR1 | 30В12.000ADIRECTFET | - |
| IRF6609 | 20В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6609TR1 | 20В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6609TR1PBF | 20В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6609TRPBF | 20В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6610TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 66 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6610TR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 66 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6610TRPBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 66 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6611 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6611TR1 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6611TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6611TRPBF | 30 В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6612 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6612TR1 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6612TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6612TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 136 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6613 | A 40В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6613TR1 | AA 40В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6613TR1PBF | MOSFET, 40В, 150A, 3.4 мОм, 42 нКл заряд затвора, Med Can | - |
| IRF6613TRPBF | MOSFET, 40В, 150A, 3.4 мОм, 42 нКл заряд затвора, Med Can | |
| IRF6614 | A 40В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6614TR1 | 40В12.700ADIRECTFET | - |
| IRF6614TR1PBF | MOSFET, 40В, 55A, 8.3 мОм, 19 нКл заряд затвора, SмАll Can | - |
| IRF6614TRPBF | MOSFET, 40В, 55A, 8.3 мОм, 19 нКл заряд затвора, SмАll Can | |
| IRF6616 | A 40В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 106 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6616TR1 | A 40В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 106 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6616TR1PBF | MOSFET, 40В, 106A, 5.0 мОм, 29 нКл заряд затвора, Med Can | - |
| IRF6616TRPBF | MOSFET, 40В, 106A, 5.0 мОм, 29 нКл заряд затвора, Med Can | |
| IRF6617 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6617TR1 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6617TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6617TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6618 | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6618TR1 | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6618TR1PBF | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6618TRPBF | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MT нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6619 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6619TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6619TR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6619TRPBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6620 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6620TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6620TR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6620TRPBF | 20В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6621TR1 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6621TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6621TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6622TR1PBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6622TRPBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6623 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6623TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6623TR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6623TRPBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 55 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6626 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6626TR1 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6626TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6626TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET ST нормированный на 72 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6628TR1PBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number | - |
| IRF6628TRPBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number | |
| IRF6629TR1PBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number | - |
| IRF6629TRPBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. Part is not available in bulk, TR is implied in part number | |
| IRF6631TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 57 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6631TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 57 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6633ATR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 69 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6633ATRPBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 69 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6633TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6633TR1PBF | 20В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6633TRPBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 59 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6635TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6635TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6636 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6636TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6636TR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6636TRPBF | 20В одноканальный N HEXFET силовой MOSFET в корпусе (ST) нормированный на 81 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6637 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6637TR1 | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6637TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6637TRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MP нормированный на 52 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6638TR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6638TRPBF | 30В один N канал30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов.pe and Reel only. | |
| IRF6678 | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6678TR1 | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6678TR1PBF | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6678TRPBF | 30В N-канальный HEXFET силовой MOSFET with 20 volt gate in the DirectFET MX нормированный на 150 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6691 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6691TR1 | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6691TR1PBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | - |
| IRF6691TRPBF | 20В один N канал HEXFET силовой MOSFET с интегрированным диодом Шоттки с затвором 20 В в корпусе DirectFET MT нормированный на 180 А с низким сопротивлением канала для активных OR'ing узлов. | |
| IRF6702M2DTR1P | 30V 999.000A DIRECTFET-MV | - |
| IRF6702M2DTRPBF | 30V 999.000A DIRECTFET-MV | - |
| IRF6706S2TR1PBF | X0.9 ControlFET in S1 Outline. | - |
| IRF6706S2TRPBF | X0.9 ControlFET in S1 Outline. | - |
| IRF6708S2TR1PBF | 30V 999.000A DIRECTFET-LV MP | - |
| IRF6708S2TRPBF | 30V 999.000A DIRECTFET-LV MP | - |
| IRF6709S2TR1PBF | 25В 12.000A DIRECTFET-LV | - |
| IRF6709S2TRPBF | 25В 12.000A DIRECTFET-LV | |
| IRF6710S2TR1PBF | 25В 12.000A DIRECTFET | - |
| IRF6710S2TRPBF | 25В 12.000A DIRECTFET | |
| IRF6711STR1PBF | 25В 12.000A DIRECTFET | - |
| IRF6711STRPBF | 25В 12.000A DIRECTFET | |
| IRF6712STR1PBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 17А | - |
| IRF6712STRPBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET SQ нормированный на 17А | |
| IRF6713STR1PBF | 25В 22.000A DIRECTFET | - |
| IRF6713STRPBF | 25В 22.000A DIRECTFET | |
| IRF6714MTR1PBF | 25В 999.000A DIRECTFET | - |
| IRF6714MTRPBF | 25В 999.000A DIRECTFET | |
| IRF6715MTR1PBF | 25В 999.000A DIRECTFET | - |
| IRF6715MTRPBF | 25В 999.000A DIRECTFET | |
| IRF6716MTR1PBF | 600В UltraFast 8-25 кГц Copack IGBT в корпусе D2-Pak | - |
| IRF6716MTRPBF | 600В UltraFast 8-25 кГц Copack IGBT в корпусе D2-Pak | |
| IRF6717MTR1PBF | X3.0, 25В, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline | - |
| IRF6717MTRPBF | X3.0, 25В, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline | |
| IRF6718L2TR1PBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET L2 нормированный на 61 А с низким сопротивлением канала | - |
| IRF6718L2TRPBF | A 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET L2 нормированный на 61 А с низким сопротивлением канала | |
| IRF6720S2TR1PBF | 30В 11.000A DIRECTFET-LV | - |
| IRF6720S2TRPBF | 30В 11.000A DIRECTFET-LV | - |
| IRF6721STR1PBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | - |
| IRF6721STRPBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | |
| IRF6722MTR1PBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | - |
| IRF6722MTRPBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | |
| IRF6722STR1PBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | - |
| IRF6722STRPBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | |
| IRF6723M2DTR1P | 30В 999.000A DIRECTFET-MV | - |
| IRF6723M2DTRPBF | 30В 999.000A DIRECTFET-MV | |
| IRF6724MTR1PBF | 30В 27.000A DIRECTFET | - |
| IRF6724MTRPBF | 30В 27.000A DIRECTFET | |
| IRF6725MTR1PBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | - |
| IRF6725MTRPBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | |
| IRF6726MTR1PBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | - |
| IRF6726MTRPBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | |
| IRF6727MTR1PBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | - |
| IRF6727MTRPBF | 30В DirectFET силовой MOSFET | |
| IRF6728MTR1PBF | X2.4, 30V MonoFETKY, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline | - |
| IRF6728MTRPBF | X2.4, 30V MonoFETKY, M-can DirectFET 1.5, MX- Outline | - |
| IRF6729MTR1PBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 31 А с низким сопротивлением канала | - |
| IRF6729MTRPBF | 30В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 31 А с низким сопротивлением канала | |
| IRF6794MTR1PBF | 25V X2.4 DLM FETKY SyncFET with MX outline | - |
| IRF6794MTRPBF | 25V X2.4 DLM FETKY SyncFET with MX outline | - |
| IRF6795MTR1PBF | 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 32 | - |
| IRF6795MTRPBF | 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 32 | |
| IRF6797MTR1PBF | 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 36 | - |
| IRF6797MTRPBF | 25В один N канал HEXFET силовой MOSFET в корпусе DirectFET MX нормированный на 36 | - |
| IRF6798MTR1PBF | 25В X3.0 DLM FETKY SyncFET в корпусе MX | - |
| IRF6798MTRPBF | 25В X3.0 DLM FETKY SyncFET в корпусе MX | |
